Themen
- Abscheidung und Charakterisierung von dielektrischen Dünnschichten
- Herstellung und Untersuchung von ohmschen und Schottky-Kontakten auf halbleitenden Materialien (Si, GaN, AlN, …)
- Herstellung von Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS)
- Herstellung von Hetero-Feldeffekt-Transistoren (HFETs/MISHFETs) auf Basis von AlGaN/GaN
- Untersuchung der dielektrischen Absorption von high-k Materialien
Möglichkeiten
Herstellung
- Herstellung von Bauelementen im „Zentralen Reinraumlabor“
- kleine Probenstücke bis 6″- Wafer sind möglich
- Erfahrungen mit unterschiedlichen Halbleitern (Si, GaN, GasAs, …)
- Abscheidung von Dielektrika (Al2O3, Si3N4, TiO2, ZrO2, …) mittels chemischer Verfahren (CVD) und Atomlagenabscheidung (ALD)
- Abscheidung von Metallen (Ag, Al, Au, Ni, Ti, V, …) mittels physikalischer Verfahren (PVD)
- Strukturierung mittels Lithographie (<3 µm laterale Auflösung)
- nasschemische und Trockenätzprozesse (ICP-RIE)
- thermische Behandlung unter reduzierender, oxidierender oder Inertgasatmosphäre sowie schnelle thermische Prozesse (RTA)
Möglichkeiten Elektrischer Charakterisierung
- Strom-Spannungs-Messungen (dc und gepulst) zur Bestimmung von Leckströmen, Kontakt- und Schichtwiderständen sowie parametrischen Bauelementkennlinien
- Relaxationsmessungen zur Bestimmungen der dielektrischen Absorption
- Kapazitäts-Messungen zur Bestimmung von Oxidladung, Substratdotierung und Grenzflächenzustandsdichte
- temperaturabhängige Messungen sind von Raumtemperatur bis 300°C möglich
- kleine Probenstücke bis 12″- Wafer können untersucht werden
Kontakt
Dr.-Ing. Alexander Schmid
Gellertbau
Leipziger Straße 23, EG. 18
09599 Freiberg
+49 3731 39-2595
alexander.schmid“et“physik.tu-freiberg.de